Nanotechnologie und Nanoprozesse: Einführung, Bewertung by Univ.-Prof. Dr. Wolfgang R. Fahrner (auth.), Univ.-Prof. Dr.

By Univ.-Prof. Dr. Wolfgang R. Fahrner (auth.), Univ.-Prof. Dr. Wolfgang R. Fahrner (eds.)

Eine kompakt aufbereitete, didaktische Zusammenstellung der Nanotechnologie auf ihrem aktuellen Stand findet der scholar oder praktisch tätige Ingenieur im vorliegenden Buch. Nach einem kurzen Abriss über die historische Entwicklung beschreibt das Werk die Verfahren zur Herstellung und Charakterisierung von wenige Nanometer großen Strukturen, leitet über zu deren (elektrischen) Anwendungen und den physikalischen Messmethoden zur Bestimmung der Eigenschaften von Nanodefekten, -schichten und -partikeln und erläutert schließlich alle wichtigen Präparationstechniken, die heute in der Nanotechnologie zur Verfügung stehen. Auf der Grundlage von gesicherten Fakten wird dabei eine Bewertung der Nanotechnologie, eine Abschätzung ihrer weiteren Entwicklung und ein Ausblick auf ihre Zukunftsaussichten gegeben.

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Die Zerspanbarkeit der metallischen und nichtmetallischen Werkstoffe (German Edition)

Biicher iiber ein bestimmtes Fachgebiet stellen meist eine paintings Bilanz dar. Die vielen Einzel-und Teilergebnisse, die sowohl bei der systemati schen Forschung wie auch bei den praktischen Betriebserkenntnissen im Sinne einer Ganzheitsbetrachtung geordnet und klar anfallen, sollen gestellt werden. Von den in neuerer Zeit erschienenen zusammenfassen den Werken iiber die Zerspanbarkeit behandelt das Buch von LEYEN SETTER!

Zwischen Glaspalast und Palais des Illusions; Form und Konstruktion im 19. Jahrhundert

Konstruktion und shape, Funktion und Gestalt bedingen einander in vielfältiger Wechselbeziehung. Das gilt für die Bauwerke des 19. Jahr­ hunderts ebenso wie für die heutige Architektur. Diese Feststellung je­ doch ist so allgemeiner paintings, daß sich daraus schwerlich ein fruchtbarer Ansatz für die Lösung von Bauproblemen ableiten läßt.

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Die Anode wird mit der Quelle der Metallabscheidung verbunden. Ar wird unter wenigen Pascal eingelassen und das Plasma gezündet. Nachdem der Wafer mit Sputtern gereinigt worden ist, wird die Elektronenkanone angeschaltet und das Material abgeschieden. Die auf dem Substrat wachsende Schicht wird durch den Einfluss des Plasmas in einigen Eigenschaften – Adhäsion, Homogenität – im Vergleich zu reinem PVD wesentlich verbessert. Die Vorteile von Ionenplattierung sind höhere Energien der abgeschiedenen Atome und folglich bessere Adhäsion der erzeugten Filme.

Dazu auch Abschn. 4). Die Maxima zeigen die Lagen der p-n-Übergänge an, die aus dem ursprünglichen p-Typ-Material (rechts vom Maximum) und dem neu gebildete n-Typ-Material (links) geformt werden. Man erhält sehr hohe Eindringgeschwindigkeiten: In vier Stunden wird der 380 —m dicke Wafer ganz zu n-Typ umgewandelt. Eine Konversionstiefe von z. B. 80 —m wird nach 16 min erhalten. Dieselbe Tiefe würde man für eine klassische Diffusion (Ga, 1300 °C) nach 16 h erhalten. Abb. 19 Bildung eines p-n-Überganges durch thermische Donatoren.

Reines GaAs friert bei Temperaturerniedrigung auf dem schon vorhandenen festen GaAs aus (dies ist auch das Ziel von LPE) und die Schmelze reichert sich an Ga an, bis schließlich nur noch reines Ga übrig bleibt. Im umgekehrten Fall (Betrieb rechts vom GaAs), scheidet sich wieder festes GaAs ab, jedoch reichert sich die Schmelze an As an. Dotieratome können vor der Abscheidung zur Schmelze hinzu gegeben werden, z. B. um p-n-Übergänge herzustellen. 15 zeigt als Beispiel einen Abb. 12 MBE-Aufbau (schematisch) nach [59] 52 4 Abb.

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